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干式蚀刻技术

在半导体的制程中,蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除.干式蚀刻(又称为电浆蚀刻)是目前最常用的蚀刻方式,其以气体作为主要的蚀刻媒介,并藉由电浆能量来驱动反应.

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响.首先,电浆会将蚀刻气体分子分解,产生能够快速蚀去材料的高活性分子.此外,电浆也会把这些化学成份离子化,使其带有电荷.

晶圆系置于带负电的阴极之上,因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时,会以垂直角度撞击到晶圆表面.芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻,而后者也是干式蚀刻的重要角色.

基本上,随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同,蚀刻由下列两种模式单独或混会进行:

1．电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后,将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化.如此即可将表面材质移出晶圆表面,并透过抽气动作将其排出.

2．电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键,进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击( sputtering)出来.

化学气相沉积技术

化学气相沉积是制造微电子组件时,被用来沉积出某种薄膜(film)的技术,所沉积出的薄膜可能是介电材料(绝缘体)(dielectrICs)、导体、或半导体.在进行化学气相沉积制程时,包含有被沉积材料之原子的气体,会被导入受到严密控制的制程反应室内.当这些原子在受热的昌圆表面上起化学反应时,会在晶圆表面产生一层固态薄膜.而此一化学反应通常必须使用单一或多种能量源(例如热能或无线电频率功率).

CVD制程产生的薄膜厚度从低于微米到数微米都有,不过最重要的是其厚度都必须足够均匀.较为常见的CVD薄膜包括有:

二气化硅(通常直接称为氧化层>

氮化硅